高纯二氧化碳和普通孝感二氧化碳在制备方法上的核心差异在于**提纯深度、工艺复杂度**以及**对杂质的控制程度**,具体区别如下:
一、原料来源的差异
- **普通二氧化碳**:
原料来源较广泛,纯度要求低,可直接使用工业尾气(如电厂烟道气、钢铁厂废气)、发酵产气(未深度处理的啤酒/乙醇尾气)等,甚至实验室中简单反应(如碳酸钙与盐酸反应)的粗产物也可作为原料,对原料中杂质(如硫化氢、水分、粉尘)的初始含量要求不严格。
- **高纯二氧化碳**:
原料需经过初步筛选,优先选择杂质较少的气源,如化工装置副产的高浓度CO₂(如合成氨、乙烯生产中的尾气,CO₂浓度通常≥95%)、深度净化前的发酵尾气等。若原料杂质过多(如含大量硫、苯等),会大幅增加提纯成本,因此原料预处理是必要步骤。
二、核心工艺的差异
1. 普通二氧化碳的制备:以“初步分离”为主
普通二氧化碳的制备工艺较简单,目标是将CO₂浓度提升至**95%~99.5%**(工业级),主要步骤包括:
- **粗分离**:通过水洗、碱洗(如用碳酸钠溶液)去除部分酸性杂质(如硫化氢),或通过简单冷凝去除大量水分(露点一般仅降至0℃左右,水分含量≥0.1%)。
- **简易提纯**:若用于食品领域(如碳酸饮料),会增加脱硫(活性炭吸附)和干燥(硅胶干燥)步骤,但对微量杂质(如一氧化碳、烃类)无严格控制,总杂质含量可达0.5%~5%。
例如:工业用普通CO₂可能仅通过“压缩-冷凝”两步,将气体压缩后冷却,使CO₂液化,释放出部分低沸点杂质(如氮气)即可,无需深度精馏。
2. 高纯二氧化碳的制备:以“深度净化”为核心
高纯二氧化碳需将纯度提升至**99.99%以上**(4N及更高),工艺复杂且多步骤协同,核心是去除ppm级(百万分之一)甚至ppb级(十亿分之一)的杂质,关键步骤包括:
- **精细预处理**:采用多级碱洗(如NaOH溶液)彻底去除硫化氢、硫醇等硫系杂质;通过活性炭吸附去除苯、甲醛等有机物,避免后续催化剂中毒。
- **深度干燥**:使用高性能分子筛(如3A分子筛)或吸附剂,将水分含量降至≤5 ppm(对应露点≤-60℃),远低于普通CO₂的水分控制标准(≥0.01%)。
- **低温精馏**:在高压(2~3 MPa)、低温(-20~-40℃)条件下进行多级精馏,利用CO₂与杂质(氮气、氧气、一氧化碳等)的沸点差异,通过塔内气液反复交换,将低沸点杂质(如氮气,沸点-195.8℃)从塔顶排出,高沸点杂质(如丙烷,沸点-42℃)从塔底去除,最终获得高纯度CO₂。
- **深度净化**:针对微量有害杂质(如一氧化碳、总碳氢化合物),需额外加入催化转化(如用铂催化剂将CO氧化为CO₂)或特种吸附(如用13X分子筛吸附烃类)步骤,确保杂质总量≤10 ppm(5N级)甚至≤1 ppm(6N级)。
三、对杂质的控制标准差异
| 杂质类型 | 普通二氧化碳(工业级) | 高纯二氧化碳(5N级) |
|----------------|------------------------------|------------------------------|
| 氧气 | ≤1% | ≤5 ppm(0.0005%) |
| 氮气 | ≤5% | ≤20 ppm(0.002%) |
| 水分 | ≤0.1% | ≤5 ppm(0.0005%) |
| 一氧化碳 | 未严格控制(可能≥100 ppm) | ≤1 ppm(0.0001%) |
| 总碳氢化合物 | 未严格控制(可能≥1000 ppm) | ≤5 ppm(0.0005%) |
| 硫化氢 | ≤100 ppm(工业级) | ≤0.1 ppm(食品/电子级) |
四、应用场景对工艺的影响
- 普通二氧化碳因纯度低、杂质多,仅用于对纯度要求不高的场景,如灭火(灭火器)、工业焊接保护(对微量杂质不敏感的金属)、农业温室气肥等,因此制备时无需投入高精度设备(如多级精馏塔、特种催化剂)。
- 高纯二氧化碳需满足电子(半导体制造,杂质会导致芯片缺陷)、医疗(冷冻治疗,杂质可能引发组织感染)、科研(气相色谱载气,杂质会干扰检测)等场景的严苛要求,因此必须通过“预处理-深度干燥-精馏-催化净化”的全流程工艺,且每个步骤需配备精密控制设备(如在线激光气体分析仪、露点仪)实时监测杂质含量。
总结
普通孝感二氧化碳的制备是“从混合气体中简单提取CO₂”,而高纯二氧化碳的制备是“在提取基础上,通过多维度深度净化去除痕量杂质”。两者的差异本质上是**“量”到“质”的跨越**——前者追求浓度达标,后者追求纯度极致,这也导致高纯二氧化碳的制备成本(设备、能耗、检测)远高于普通二氧化碳(通常为3~10倍)。